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参数目录42435
> DMN2013UFDE-7 MOSF N CH 20V 10.5A U-DFN2020-6
型号:
DMN2013UFDE-7
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Diodes Inc
描述:
MOSF N CH 20V 10.5A U-DFN2020-6
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
DMN2013UFDE-7 PDF
标准包装
1
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
10.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
11 毫欧 @ 8.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
25.8nC @ 8V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2453pF @ 10V
功率 - 最大
660mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-UDFN
供应商设备封装
*
包装
剪切带 (CT)
其它名称
DMN2013UFDE-7DICT
查看DMN2013UFDE-7代理商
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